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2016-07-08
+2016-07-08
+2023-12-14
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詳細介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 環(huán)保,能源,電子/電池,綜合 |
關鍵詞：濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)，半導體
系統(tǒng)組成：HEM-200 高低溫霍爾效應測試系統(tǒng)本儀器系統(tǒng)由電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源、高精度電壓表、矩陣卡、霍爾效應樣品支架、標準樣品、系統(tǒng)軟件組成。本套系統(tǒng)測試應用的是最新的KEITHLEY 進口測試源表，配合配套的低延遲寬帶寬的矩陣卡，極大提高了樣品的供電電流和測試樣品的霍爾電壓的量程和精度，寬電流供電和寬電壓測試范圍可以覆蓋市面上絕大多數(shù)的半導體器件。用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試系統(tǒng)是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性的工具。 實驗結果由軟件自動計算得到，可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度 (Sheet Carrier Concentration)、遷移率 (Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(Hall Coefficient)、磁致電阻 (Magnetoresistance)等等。
系統(tǒng)參數(shù):
我們可提供各類霍爾效應測試系統(tǒng)用于教學和研究
可測試材料:
物理學參數(shù) | 載流子濃度(Carrier Density) | 103cm-3~ 1023cm-3 |
遷移率(Mobility) | 0.1cm2/volt*sec ~108cm2/volt*sec | |
電阻率范圍(Resistivity) | 10-70hm*cm~ 10100hm*cm | |
霍爾電壓(Hall voltage) | 10nV~ 200V | |
霍爾系數(shù) | ±10-5~ 1027cm-3/C | |
可測試材料類 | 半導體材料 | SiGe,SiC,InAs,InGaAs,InP,AlGaAs,HgCdTe 和鐵氧體材料等 |
低阻抗材料 | 石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料等 | |
高阻抗材料 | 半絕緣的 GaAs，GaN，CdTe 等 | |
材料導電粒子 | 材料的P型與N型測試 | |
磁鐵類型 | 磁場可變電磁鐵 | |
磁場環(huán)境 | 磁場大小 | 2000mT(極頭間距為:10mm) 1500mT(極頭間距為:20mm ) 1000mT(極頭間距為:30mm ) 800mT(極頭間距為:40mm) 600mT(極頭間距為:50mm) |
霍爾效應測試磁場 | 霍爾效應中極頭間距為 30mm，此時磁場最大為1000mT | |
均勻區(qū) | 1% | |
最小分辨率 | 0.1Gs | |
可選磁環(huán)境 | 可根據(jù)客戶需求定制相關磁性大小的電磁鐵 | |
電學參數(shù) | 電流源 | ±0.1nA—±1000mA |
電流源分辨率 | 0.01nA | |
測量電壓 | ±10nV—±200V | |
溫度環(huán)境 | 80K~500K | |
控溫精度 | 0.1K | |
其他配件 | 遮光性 | 外部安裝遮光部件，使得測試材料更加穩(wěn)定 |
樣品尺寸 | 10mm*10mm(標準) 16mm*16mm（最大） | |
箱式機柜 | 600*600*1000mm | |
測試樣片 | 提供中國科學院半導體所霍爾效應 標準測試樣片及數(shù)據(jù)：1 套 （硅、鍺、砷化鎵、銻化銦） | |
制作歐姆接觸 | 電烙鐵、銦片、焊錫、漆包線等 |
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