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2026-01-30
+2019-07-23
+2024-03-04
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電卡效應(yīng)測(cè)試儀 ECM$n(ElectroCaloric Measurement)$n$n本系統(tǒng)除了可以測(cè)試材料的鐵電、壓電、熱釋電性能外，還可以用于測(cè)試材料在寬溫度范圍內(nèi)的電卡性能。$n$n電卡測(cè)試性能參數(shù)：$n溫度范圍: -50℃到200℃$n溫度靈敏度: 20mK
電卡效應(yīng)測(cè)試儀 ECM(ElectroCaloric Measurement)本系統(tǒng)除了可以測(cè)試材料的鐵電、壓電、熱釋電性能外，還可以用于測(cè)試材料在寬溫度范圍內(nèi)的電卡性能。電卡測(cè)試性能參數(shù)：溫度范圍: -50℃到200℃溫度靈敏度: 20mK
SWXWY-600型*材料高低溫三維顯微應(yīng)變測(cè)量系統(tǒng)系統(tǒng)——光學(xué)顯微鏡和DIC數(shù)字圖像相關(guān)技術(shù)的結(jié)合，可以滿足納米級(jí)精度測(cè)量需求。SWXWY-600型*材料三維顯微應(yīng)變測(cè)量系統(tǒng)系統(tǒng)彌補(bǔ)了傳統(tǒng)設(shè)備無(wú)法進(jìn)行微小物體變形測(cè)量的不足，成為微觀尺度領(lǐng)域變形應(yīng)變測(cè)量的一個(gè)有力工具。該設(shè)備對(duì)于*材料各種參數(shù)的測(cè)量，如：楊氏模量、泊松比、彈塑性，微觀應(yīng)變等，對(duì)于材料的研究有著重要作用。
應(yīng)用領(lǐng)域主要有： Ferroelectric/ Multiferroic Tunnel-Junctions (FTJ/MFTJ) 鐵電/多鐵隧道結(jié) Electro-Chemical Metallization Memory (ECM) 電化反應(yīng)存儲(chǔ)器 Magnetoresistive Tunnel-Junctions (MTJ) 磁阻隧道結(jié) Electronic Effect Memory (EE
aixPES壓電材料綜合表征系統(tǒng) 本系統(tǒng)主要用于壓電塊體陶瓷樣品的全面電性能和機(jī)電性能的表征。 大信號(hào)和小信號(hào)材料的特征可以在一定溫度范圍內(nèi)表征。樣品上的電流響應(yīng)測(cè)量是通過(guò)精確的虛擬接地方法衡量電壓激勵(lì)信號(hào)。樣品的微位移同時(shí)通過(guò)激光干涉儀進(jìn)行測(cè)量。
本設(shè)備主要用來(lái)研究電介質(zhì)材料的自漏電性。 由于測(cè)試條件非常接近實(shí)際情況，因此通過(guò)這種方式可容易地測(cè)試應(yīng)用于DRAM材料的合適性。 技術(shù)說(shuō)明：
當(dāng)前位置：